溅射镀膜种类及特点

序号

溅射方式

溅射电源

Ar气压/Pa

特点

1

二极溅射

DC1-7kv,0.15-1.5mA/cm2
RF0.3-10kw  1-10w/cm2

1.33（10-2）

构造简单，在大面积的基板上可以制取均匀的薄膜，放电电流流陌气压和电压的变化而变化

2

三极溅射或四极溅射

DC0-2kv
RF0-1kw

6.65*10-2-1.33*10-1（5*10-4-1*10-3）

可实现低气压、低电压溅射，放电电流和轰击靶的离子能量 可独立调节控制。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射

3

磁控溅射

0.2-1kv  3-30w/cm2

10-10-6

在与靶表面平等的方向上施加磁场，利用电场和磁声相互垂直的磁控管原理减少电子对基板的轰击（降低基板温度）。使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8um/min时，温升为2度/um。Cu的自溅射可在10-6Pa的低压下进行

4

对向靶溅射

可采用磁控靶DC或RF0.2-1kv,3-30w/cm2

1.33*10-1-1.33*10-3

两个靶对向布置，在垂直于靶的表面方向加上磁场，基板位于磁场之外。可以对磁性材料进行高速低温溅射

5

ECR溅射

0-数千伏

1.33*10-3(10-5)

采用ECR等离子体，可在高真空中进行各种溅射沉积。靶可以做得很小

6

射频溅射

FR0.3-10kv,0-2kw

1.33(10-2)

开始是为了制取绝缘体如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可溅射镀制金属膜。靶表面加磁场可以进行磁控射频溅射

7

偏压溅射

在基片上施加0-500v范围内的相对于阳极的正的或负的电位

1.33(10-2)

在镀膜过程中同时清除基板上轻质量的带电粒子，从而使基板中不含有不纯气体(如H2O,N2等残留气体等)

8

反应溅射

DC0.2-7kv,RF0.3-10KW

在Ar中混入适量的活性气体，如N2/O2等分别制取TiN,Al2O3

制作阴极物质的化合物薄膜，例如，如果阴极是钛，可以制作TiN,TiC

9

离子束溅射

引出电压0.5-2.5kv,离子束流10-50mA

离子源系统10-2-102，溅射室3*10-3

在高真空下，利用离子束溅射镀膜，是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可，还可以进行反应离子束溅射