化学气相沉积技术，简称 CVD 技术。它是利用加热 、等离子体增强 、光辅助等手段在常压或低压条件下使气态物质通过化学反应在基体表面上制成固态薄膜的一种成膜技术。
CVD 技术一般来说具有一些特点：
① 设备的工艺操作都比较简单 、 灵活性较强 ， 能制备出配比各异的单一或复合膜
层和合膜层;
② CVD 法适用性广泛;
③ 沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高;
④ 与 PVD 法(蒸镀、溅射)相比较绕射性好，适宜涂覆形状复杂的基体;
⑤ 涂层致密性好;
⑥ 承受放射线辐射后的损伤较低，能与 MOS 集成电路(一种以金属 -氧化物 -半导
体场效应晶体管为主要元件构成的集成电路)工艺相融合。
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